我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STL120N8F7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否正在寻找一颗能大幅提升系统效率、同时保持设计紧凑的功率开关解决方案？STL120N8F7正是为此而生。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有80V耐压和高达120A的连续电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅4.4毫欧），能显著减少导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

得益于STripFET F7先进技术和PowerFlat封装，它不仅提供了优异的电气性能，还拥有出色的散热能力，帮助您轻松应对高功率密度设计的挑战。无论是降低系统温升还是缩小整体体积，STL120N8F7都能让您的产品在性能和可靠性上脱颖而出。

• 型号:STL120N8F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 120A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.4 毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4570 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:4.8W（Ta），140W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL120N8F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。