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还在寻找一颗能同时满足高效率、小体积与强驱动需求的功率开关吗？STL11N6F7正是为您而来的解决方案。这颗采用先进STripFET技术的N沟道MOSFET，拥有60V的耐压和11A的连续电流能力，而其核心魅力在于极低的导通电阻（仅12毫欧@10V）和微小的PowerFlat封装，能显著降低开关损耗和温升，让您的电源设计轻松实现更高的功率密度和能效。

它专为优化开关性能而生，极低的栅极电荷（17nC）和输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统响应更迅捷，整体运行更高效。无论是用于同步整流、电机控制还是负载管理，STL11N6F7都能以稳定可靠的表现为您的产品注入强劲动力。

• 型号:STL11N6F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 11A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 5.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1035 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.9W（Ta），48W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL11N6F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。