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您是否希望为您的电源或电机驱动设计找到一颗既强健又高效的“开关”？STP11NK40Z正是您的理想之选。这颗采用先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有400V的高耐压和9A的强电流处理能力，让您轻松应对高压环境下的能量切换挑战。

它的核心价值在于为您带来更高的效率和更可靠的运行。极低的导通电阻显著减少了导通损耗，而优化的动态参数则确保了快速、干净的开关动作。这意味着您的系统不仅能更高效地工作，还能运行得更凉爽、更稳定。无论是升级现有产品还是开发全新项目，它都能让您的设计事半功倍，性能表现脱颖而出。

• 型号:STP11NK40Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 9A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:550 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:930 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP11NK40Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。