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您正在寻找一颗能轻松驾驭600V高压、17A大电流的功率开关吗？STB21NM60N正是为您而生的高效解决方案。它采用ST先进的MDmesh技术，将超低的220毫欧导通电阻与优化的66nC栅极电荷完美结合，这意味着它能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉、更高效，直接提升整机能效和功率密度。

这颗强大的N沟道MOSFET，其10V的标准驱动电压让您易于驱动，而高达140W的功率耗散能力和150°C的结温，则赋予了它卓越的可靠性和鲁棒性。无论是面对工业环境的严苛挑战，还是需要在紧凑的D2PAK封装内实现高功率输出，STB21NM60N都能让您信心十足，轻松构建出稳定、耐用且性能出众的电力电子应用。

• 型号:STB21NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:66 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1900 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB21NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。