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您正在寻找一颗能同时驾驭大电流与高效率的功率开关吗？STL110N4F7AG正是为您而来的解决方案。它基于意法半导体先进的STripFET F7技术，拥有40V的耐压和高达108A的连续电流承载能力，而其核心魅力在于仅4毫欧的超低导通电阻。这意味着它能让您的电源转换或电机驱动系统以更低的损耗运行，显著提升能效，同时减少发热，让您的设计更紧凑、更可靠。

这颗芯片专为汽车级和高性能应用优化，采用节省空间的PowerFlat封装，非常适合集成到对尺寸和散热有严苛要求的场景中。其优异的开关特性（低栅极电荷）让您能够轻松实现更高频率的开关操作，从而提升功率密度。无论是提升现有产品的性能，还是攻克新项目的能效难题，STL110N4F7AG都能成为您手中高效、可靠的强大工具。

• 型号:STL110N4F7AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 108A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):108A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4毫欧 @ 54A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:15 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1150 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:94W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL110N4F7AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。