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STL105DN4LF7AG 零件图片(仅供参考)

STL105DN4LF7AG
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STL105DN4LF7AG 规格参数

您是否希望为汽车电源系统找到一颗既能扛住大电流,又能保持冷静高效的“心脏”?STL105DN4LF7AG正是您期待的答案。这颗汽车级双N通道MOSFET阵列,凭借其40V的耐压和高达40A的电流处理能力,让您能够轻松驾驭DC-DC转换、电机驱动等高功率任务,同时极低的导通电阻(仅4.5毫欧)大幅减少了能量损耗,直接提升系统整体能效。

它基于先进的STripFET F7技术打造,不仅开关速度快,栅极电荷低,更能确保在-55°C到175°C的极端温度范围内稳定工作。这意味着,无论是引擎舱内的严酷环境,还是智能驾驶模块的精密供电,它都能提供卓越的可靠性。选择它,就是为您的设计选择了经AEC-Q101认证的汽车级品质与持久性能,让您的产品在竞争中脱颖而出。

  • 型号:STL105DN4LF7AG
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:PowerFlat(5x6)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET 2N-CH 40V 40A POWERFLAT
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 配置:2 N-通道(双)
  • FET 功能:-
  • 漏源电压(Vdss):40V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A(Tc)
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):4.5 毫欧 @ 12A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):27.5nC @ 10V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1594pF @ 25V
  • 功率 - 最大值:94W
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-PowerVDFN
  • 供应商器件封装:PowerFlat(5x6)
  • STL105DN4LF7AG,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
只为成为您值得信赖的ST供应商

STL105DN4LF7AG 基本参数:

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