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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任的功率开关吗？STB16NS25T4正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有250V的耐压和16A的连续电流能力，让您在设计开关电源、电机驱动或功率转换电路时信心十足，轻松应对各种高压挑战。

它采用了先进的MESH OVERLAY技术，在10V驱动电压下导通电阻极低，同时栅极电荷优化出色。这意味着它能显著降低导通损耗，提升开关效率，让您的系统运行更凉爽、更节能。其坚固的D2PAK封装确保了卓越的散热性能，结合高达175°C的工作结温，保障了设备在恶劣环境下的长期稳定运行。选择它，就是为您的产品注入一颗高效、可靠的心脏。

• 型号:STB16NS25T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 16A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1270 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB16NS25T4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。