我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STK822现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为低压大电流开关应用的效率和散热烦恼吗？让STK822来改变游戏规则！这颗采用先进STripFET技术的N沟道MOSFET，专为追求极致性能的您而设计。它能在25V电压下轻松驾驭高达38A的连续电流，而其核心魅力在于超低的导通电阻（仅2.15毫欧@10V），能显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

更令人惊喜的是，其独特的PolarPak封装和优化的栅极电荷特性，让您不仅能实现快速的开关速度，提升整体能效，还能简化散热设计，节省宝贵的电路板空间。无论是面对-55°C到150°C的宽温工作挑战，还是需要高可靠性的严苛应用，STK822都能提供稳定、强大的功率处理能力，是您打造下一代高效电源和电机驱动方案的信心之选。

• 型号:STK822
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PolarPak
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 25V 38A POLARPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:25 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.15 毫欧 @ 19A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6060 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:5.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PolarPak
• 封装/外壳:PolarPak
• STK822，ST（意法半导体）产品一站式供应商。