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还在为高压大电流应用中的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？让STW20NK50Z来为您破局！这颗来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，基于先进的SuperMESH技术，为您提供500V/17A的强大功率处理能力。

它能让您轻松构建高效、紧凑的电源系统。其极低的导通电阻（仅270毫欧@10V）显著减少了功率损耗，提升整体能效；而优化的开关特性（栅极电荷119nC）则有助于实现更快的开关速度和更低的驱动损耗。无论是工业驱动还是能源转换，它都能让您的设计更可靠、更高效。

采用坚固的TO-247-3通孔封装，支持高达190W的耗散功率，确保在严苛环境下稳定工作。选择STW20NK50Z，就是为您的产品注入了高性能与高可靠性的核心动力。

• 型号:STW20NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 17A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:270 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:119 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW20NK50Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。