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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？STK28N3LLH5 N沟道MOSFET就是您的高效解决方案。它凭借STripFET V技术，实现了惊人的4.5毫欧超低导通电阻，能大幅减少传导损耗，让您的设备运行更凉爽，电能利用更充分。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的同步整流、电机驱动或DC-DC转换电路效率显著提升。其28A的强劲电流处理能力和优化的19nC低栅极电荷，确保了快速、干净的开关性能，既能应对瞬间大电流冲击，又能有效降低开关损耗。采用先进的PolarPak封装，散热能力出众，让您在设计高功率密度产品时，无需再为散热空间过分担忧，轻松实现更小巧、更可靠的终端设计。

• 制造商产品型号：STK28N3LLH5
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 28A POLARPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：STripFET V
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：28A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：4.5 毫欧 @ 14A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：19nC @ 4.5V
• Vgs（最大值）：±22V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2300pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：5.2W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：PolarPak
• STK28N3LLH5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。