我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STF2N80K5现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否正在寻找一颗能轻松驾驭高压开关任务，同时保持高效与低温运行的“核心开关”？STF2N80K5正是为此而生。它基于意法半导体领先的SuperMESH5技术打造，拥有高达800V的击穿电压和2A的电流处理能力，让您在设计AC-DC电源、LED驱动器或辅助电源时，拥有更宽裕的安全余量和更强的性能信心。

这颗芯片的卓越之处在于其超低的导通电阻与栅极电荷。这意味着在导通时，它的能量损耗极低，发热更少；在开关时，它能快速响应，显著降低开关损耗。其结果就是，您的整个电源系统效率更高，运行更凉爽，可靠性也随之大幅提升。其坚固的TO-220FP封装和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），更能确保它在各种严苛环境下稳定工作，让您的产品设计无后顾之忧。

• 型号:STF2N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:95 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF2N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。