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还在为高压大电流应用的效率与发热问题寻找最优解吗？STI32N65M5 N沟道MOSFET正是为您而来的高性能开关器件。它拥有650V的高耐压和24A的强电流处理能力，核心优势在于其极低的导通电阻（仅119毫欧）和栅极电荷，能显著降低开关损耗和传导损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的工业电源、太阳能逆变器或充电桩设计轻松实现更高的功率密度和能源转换效率。其坚固的I2PAK封装和150W的功率耗散能力，确保了在高温环境下的长期稳定工作，大幅提升了终端产品的可靠性和使用寿命。选择它，就是为您的核心功率电路选择了一位值得信赖的“效能管家”。

• 型号:STI32N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:119 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3320 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI32N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。