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您正在寻找一颗能同时驾驭高效率与高可靠性的高压开关管吗？STI30N65M5正是为您而来。这颗基于意法半导体先进MDmesh V技术的N沟道MOSFET，拥有650V的强悍耐压和22A的电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅139毫欧），能显著减少功率损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它不仅仅关注静态参数，更优化了动态性能。较低的栅极电荷和输入电容，让开关过程更加迅速、干净，有效降低开关损耗，使您能够轻松提升系统工作频率，从而缩小变压器和电感体积，实现更高功率密度的设计。无论是面对工业环境的严酷考验，还是追求消费级产品的能效标杆，它都能提供稳定、持久的卓越表现。

• 型号:STI30N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 22A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:139 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:64 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2880 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI30N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。