STGD18N40LZ-1（ST 意法半导体，晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA）

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零件图片（仅供参考）

规格参数

制造商产品型号：STGD18N40LZ-1

制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）

描述：IGBT 420V 25A 125W IPAK

系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

产品系列：PowerMESH

零件状态：停产

IGBT类型：-

电压-集射极击穿（最大值）：420V

电流-集电极(Ic)（最大值）：25A

电流-集电极脉冲(Icm)：40A

不同Vge、Ic时Vce(on)（最大值）：1.7V @ 4.5V，10A

功率-最大值：125W

开关能量：-

输入类型：逻辑

栅极电荷：29nC

25°C时Td（开/关）值：650ns/13.5s

测试条件：300V，10A，5V

反向恢复时间(trr)：-

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

封装：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

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基本参数：

电子零件型号：STGD18N40LZ-1

原始制造厂商：ST（意法半导体）

技术标准参数：IGBT 420V 25A 125W IPAK

产品应用分类：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

点击此处查询STGD18N40LZ-1的技术规格手册Datasheet（PDF文件）

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