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还在为射频功放电路的效率与线性度难以兼顾而烦恼吗？PD57018-E正是为您破解这一难题而生的利器。这颗基于先进LDMOS技术的射频功率晶体管，能在945MHz频段为您提供高达18W的强劲输出功率，同时保持16.5dB的优秀增益，让您轻松放大信号，确保远距离通信的清晰与稳定。

它不仅仅是一颗晶体管，更是您提升系统性能的可靠伙伴。65V的高耐压和2.5A的电流能力，赋予了它出色的坚固性和宽动态范围，让您的设计应对复杂环境更加从容。其PowerSO-10封装优化了散热路径，让您能更高效地管理热能，确保设备长时间高负荷运行依然可靠。选择PD57018-E，就是选择了一个让您的射频应用更高效、更稳健的解决方案。

• 型号:PD57018-E
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:10-PowerSO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
• 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO10
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 技术:LDMOS
• 配置:-
• 频率:945MHz
• 增益:16.5dB
• 电压 - 测试:28 V
• 额定电流（安培）:2.5A
• 噪声系数:-
• 电流 - 测试:100 mA
• 功率 - 输出:18W
• 电压 - 额定:65 V
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
• 供应商器件封装:10-PowerSO
• PD57018-E，ST（意法半导体）产品一站式供应商。