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您正在设计需要处理大电流、追求高效节能的电源或电机驱动方案吗？STI260N6F6 N沟道功率MOSFET就是您的得力助手。它拥有75V耐压和高达120A的电流承载能力，其核心魅力在于仅3毫欧的超低导通电阻，能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高。

得益于ST先进的STripFET VI技术，这颗采用I2PAK封装的芯片在开关速度和导通损耗之间取得了优异平衡。它能让您轻松应对服务器电源、工业电机驱动、新能源转换器等应用中的高功率密度挑战，实现高效可靠的能量控制，是提升终端产品性能和可靠性的关键之选。

• 型号:STI260N6F6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 120A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:183 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI260N6F6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。