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PD85035TR-E 零件图片(仅供参考)

PD85035TR-E
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PD85035TR-E 规格参数

还在为射频功率放大模块的设计效率与稳定性担忧吗?让PD85035TR-E来为您解决核心难题。这颗基于先进LDMOS技术的射频功率晶体管,专为870MHz高频应用优化,能轻松将您的信号放大至15W的强大输出,同时提供高达17dB的增益,确保您的通信链路清晰、强劲且高效。

它让您在13.6V的工作电压下,即可实现卓越的性能,其40V的高耐压和8A的电流能力为您的设计提供了宽裕的安全边际和可靠性保障。采用PowerSO-10RF封装,散热表现优异,助您轻松应对持续大功率工作的挑战,显著提升整机产品的稳定性和使用寿命。

  • 制造商产品型号:PD85035TR-E
  • 制造商:ST意法半导体(STMicroelectronics)
  • 描述:TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
  • 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 射频
  • 零件状态:有源
  • 晶体管类型:LDMOS
  • 频率:870MHz
  • 增益:17dB
  • 电压-测试:13.6V
  • 额定电流(安培):8A
  • 噪声系数:-
  • 电流-测试:350mA
  • 功率-输出:15W
  • 电压-额定:40V
  • 封装:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线)
  • PD85035TR-E,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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PD85035TR-E 基本参数:

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