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还在为高压电源设计的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？让STI24N60M2为您带来颠覆性的改变！这颗来自ST意法半导体MDmesh II Plus系列的600V/18A N沟道MOSFET，是专为追求极致性能的工程师打造的能量控制核心。

它凭借先进的MDmesh II Plus技术，实现了极低的导通电阻（Rds(on)）和栅极电荷（Qg），能显著降低开关损耗和传导损耗。这意味着，在您的服务器电源、电机驱动或UPS系统中，它能帮助您轻松提升整体能效，减少热量产生，让设备运行更凉爽、更持久、更可靠。选择它，就是选择了一条通往更高功率密度和更强市场竞争力的捷径。

• 型号:STI24N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 18A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1060 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI24N60M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。