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还在为寻找一颗能完美平衡效率与尺寸的功率开关而犹豫吗？让STS4DNFS30L来为您解决难题。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，专为要求高效、紧凑的应用而生。它能让您轻松驾驭高达4A的电流和30V的电压，其超低的55毫欧导通电阻，意味着更少的能量以热量形式浪费，从而显著提升您的系统整体能效。

无论是用于便携设备的电源路径管理，还是电机驱动、DC-DC转换等场景，STS4DNFS30L都能凭借其快速的开关特性和优异的栅极驱动效率，确保响应迅捷、运行稳定。其表面贴装的8-SO封装，让您的PCB布局更加灵活，轻松实现高密度设计。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而可靠的心脏。

• 型号:STS4DNFS30L
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 4A 8SO
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:55 毫欧 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:330 pF @ 25 V
• FET 功能:肖特基二极管（隔离式）
• 功率耗散（最大值）:2W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SOIC
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• STS4DNFS30L，ST（意法半导体）产品一站式供应商。