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您正在寻找一颗能同时驾驭高电压与高效率的功率开关吗？STI19NM65N正是您的理想之选。这颗采用MDmesh II技术的650V N沟道MOSFET，能轻松处理高达15.5A的连续电流，其超低的导通电阻能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉快、更高效。

它卓越的开关特性，包括优化的栅极电荷，有助于降低开关损耗，提升整体能效，特别适用于对效率有严苛要求的开关电源和变频驱动应用。坚固的I2PAK封装和宽工作温度范围，更能确保它在各种挑战性环境中稳定可靠地工作，让您的设计无后顾之忧。

• 制造商产品型号：STI19NM65N
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 650V 15.5A I2PAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh II
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：650V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：15.5A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：270 毫欧 @ 7.75A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：55nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1900pF @ 50V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：150W（Tc）
• 工作温度：150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I2PAK
• STI19NM65N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。