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您正在寻找一颗能轻松驾驭600V高压平台，同时保持高效、可靠运行的功率开关吗？STI18NM60N正是您的理想之选。这颗采用MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有13A的强劲电流输出能力，其优化的285毫欧导通电阻，能显著降低传导损耗，让您的电源或电机驱动系统效率更高，发热更少。

它具备快速开关特性（栅极电荷仅35nC），能帮助您简化驱动电路设计，并有效抑制开关噪声。无论是用于提升现有设备的能效，还是为高可靠性的工业应用提供核心功率处理，STI18NM60N都能以卓越的性能，让您的产品在竞争中脱颖而出。

• 型号:STI18NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-262（I2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:285 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-262（I2PAK）
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI18NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。