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还在寻找一颗能扛起高压、大电流重任的“核心开关”吗？STI17NF25正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有250V的漏源电压和高达17A的连续电流处理能力，让您在设计电源转换、电机控制等高压电路时信心十足。

它采用先进的STripFET II技术，导通电阻极低，能显著减少开关过程中的功率损耗，直接提升您的系统整体效率。同时，优异的栅极电荷特性让开关速度更快、驱动更轻松。无论是应对工业环境的严苛考验，还是追求消费电子中的高效节能，它都能成为您电路中高效、可靠的能量闸门。

• 型号:STI17NF25
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 17A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI17NF25，ST（意法半导体）产品一站式供应商。