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还在为功率转换系统的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？STGW100H65FB2-4正是您期待的解决方案。这颗来自ST意法半导体的高性能IGBT，集650V高耐压、145A大电流与先进的沟槽型场截止技术于一身，能显著降低导通与开关损耗，让您的工业驱动、UPS或光伏逆变器运行得更凉爽、更高效。

它拥有低至1.8V的饱和压降和优化的开关能量（Eon 1.06mJ, Eoff 1.14mJ），意味着更少的能量浪费和更高的系统能效。同时，其坚固的TO-247-4封装和高达175°C的结温工作能力，确保了在严苛环境下的长期稳定运行。选择它，就是为您的产品注入了强劲而可靠的核心动力。

• 型号:STGW100H65FB2-4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-4
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 650V 145A TO-247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:145 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):300 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.8V @ 15V，100A
• 功率 - 最大值:441 W
• 开关能量:1.06mJ（导通）， 1.14mJ（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:288 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:23ns/141ns
• 测试条件:SOT-323FL
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-247-4
• 供应商器件封装:TO-247-4
• STGW100H65FB2-4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。