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还在为高压开关应用中的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？让STI16NM50N为您带来改变。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有500V的坚固耐压和15A的强大电流处理能力，其核心价值在于极低的260毫欧导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它不仅仅关注静态参数，更优化了动态性能。仅38nC的栅极电荷和优化的内部结构，让开关过程更加迅速、干净，有效降低开关损耗，使您能够轻松设计出更高工作频率、更高功率密度的解决方案。无论是提升现有产品的能效等级，还是开发新一代紧凑型设备，STI16NM50N都能以其卓越的稳定性和经过验证的可靠性，成为您值得信赖的功率核心。

• 型号:STI16NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 15A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:260 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:38 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1200 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI16NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。