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还在为驱动高压MOSFET或IGBT寻找一颗既强劲又可靠的“指挥官”吗？L6491D正是您期待的答案。这颗来自ST意法半导体的半桥栅极驱动器，能为您提供高达4A的峰值驱动电流和仅15纳秒的极速开关性能，让您的功率器件以最高效率运行，显著降低系统能耗与发热。

它专为严苛环境打造，支持10V至20V宽范围供电，高压侧更可承受高达600V的电压，并能在-40°C到125°C的极端温度下稳定工作。其独立的双通道与非反相输入设计，让您能够轻松构建灵活、高效的半桥拓扑，无论是电机驱动、电源转换还是光伏逆变，都能轻松胜任，大幅简化您的设计流程，加速产品上市。

• 型号:L6491D
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:14-SO
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:10V ~ 20V
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.45V，2V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，4A
• 输入类型:非反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:15ns，15ns
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:14-SO
• L6491D，ST（意法半导体）产品一站式供应商。