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还在寻找一颗能同时兼顾高效率与高可靠性的30V级功率开关吗？STU27N3LH5正是为您而来。这颗N沟道MOSFET采用意法半导体先进的STripFET V技术，拥有仅20毫欧的超低导通电阻和极低的栅极电荷，能显著降低开关损耗和导通损耗，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更凉、更快、更省电。

它能够轻松处理高达27A的连续电流，并支持4.5V的低压驱动，让您能更灵活地设计驱动电路。无论是提升DC-DC转换器的峰值效率，还是增强电机控制的响应速度与可靠性，STU27N3LH5都能以出色的性能，帮助您简化热管理设计，提升整体系统能效，是打造高效、紧凑型功率方案的理想核心器件。

• 型号:STU27N3LH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-251（IPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 27A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.6 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:475 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STU27N3LH5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。