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STI150N10F7 零件图片(仅供参考)

STI150N10F7
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STI150N10F7 规格参数

还在寻找那颗能同时驾驭高电流与低损耗的“心脏”吗?STI150N10F7 N沟道MOSFET就是您的理想答案。它凭借意法半导体先进的STripFET技术,实现了仅4.2毫欧的超低导通电阻,让您在处理高达110A的连续电流时,也能将功率损耗和温升控制在极低水平,从而轻松达成更高的系统能效目标。

这颗芯片能为您做什么?它就像一个高效、可靠的电力开关,专为100V电压环境下的高功率应用而优化。无论是驱动大型电机、构建高效的开关电源,还是用于新能源领域的功率转换,STI150N10F7都能让您的设计更紧凑、运行更凉爽、性能更持久。选择它,就是为您的产品注入了强劲而高效的动力核心。

  • 型号:STI150N10F7
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-262(I2PAK)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 110A I2PAK
  • 包装:管件
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):4.2 毫欧 @ 55A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):117 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):8115 pF @ 50 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):250W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-262(I2PAK)
  • 封装/外壳:TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
  • STI150N10F7,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STI150N10F7 基本参数:

  • 电子零件型号:STI150N10F7
  • 原始制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CH 100V 110A I2PAK
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 点击此处查询STI150N10F7的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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