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您是否正在寻找一颗能扛起高压大电流重任，同时又能保持冷静与高效的功率开关？STI12N65M5正是为此而生。这颗采用先进MDmesh V技术的650V/8.5A N沟道MOSFET，以其低至430毫欧的导通电阻和优化的动态特性，致力于为您大幅降低导通与开关损耗。

这意味着，在您的服务器电源、工业电源或电机驱动器中，它能将更多电能高效输送至负载，而非转化为无谓的热量。其坚固的I2PAK封装确保了出色的功率处理能力（高达70W）和散热性能，让您的系统设计更紧凑，运行更稳定可靠。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的心脏。

• 制造商产品型号：STI12N65M5
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 650V 8.5A I2PAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh V
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：650V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：8.5A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：430 毫欧 @ 4.3A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：5V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：22nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：900pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：70W（Tc）
• 工作温度：150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I2PAK
• STI12N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。