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您正在设计需要处理大功率的电源或电机驱动方案吗？STI100N10F7正是为您而来的得力助手。这颗基于先进STripFET技术的N沟道MOSFET，拥有100V的耐压和高达80A的电流处理能力，能轻松担当起系统主功率开关的重任。

它的核心价值在于高效与可靠。较低的栅极电荷特性让开关动作更快、损耗更小，直接助力提升整机效率。同时，坚固的I2PAK封装确保了出色的散热和机械强度，让您的产品即使在严苛环境下也能稳定运行。选择它，就是为您的设计注入了强劲而可靠的核心动力。

• 制造商产品型号：STI100N10F7
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 100V 80A I2PAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：STripFET
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：100V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：80A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：60nC @ 25V
• Vgs（最大值）：-
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：-
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I2PAK（TO-262）
• STI100N10F7，ST（意法半导体）产品一站式供应商。