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STH270N4F3-6 零件图片(仅供参考)

STH270N4F3-6
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STH270N4F3-6 规格参数

您正在寻找一颗能扛起大电流、压得住损耗的功率开关吗?STH270N4F3-6正是为此而来。这颗40V/180A的N沟道MOSFET,核心使命就是让您的电源转换和电机驱动系统运行得更“冷静”、更高效。它惊人的1.7毫欧超低导通电阻,能大幅削减导通损耗,直接为您提升系统整体能效,同时减轻散热负担。

得益于STripFET III技术与坚固的HPAK封装,它不仅能轻松处理高达300W的功率,更能稳定工作在-55°C至175°C的严酷温度范围。无论是应对汽车引擎舱的剧烈温差,还是数据中心服务器的不间断负载,它都能提供汽车级(AEC-Q101)的可靠保障。选择它,就是为您的产品注入一颗强劲、可靠且高效的动力核心。

  • 型号:STH270N4F3-6
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:H2PAK
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):40 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.7 毫欧 @ 80A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):150 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):7400 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):300W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:H2PAK
  • 封装/外壳:TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
  • STH270N4F3-6,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STH270N4F3-6 基本参数:

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