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您正在寻找一颗能同时兼顾高性能与高可靠性的功率开关解决方案吗？STD8NF25正是为此而生。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有250V的漏源电压和8A的连续电流能力，专为要求严苛的开关应用设计。

它凭借STripFET II技术，实现了极低的导通电阻（420mΩ）和栅极电荷（16nC），能显著降低您的系统在导通和开关过程中的能量损耗，从而提升整体效率，让设备运行更凉爽、更持久。无论是电源转换、电机控制还是照明驱动，它都能让您的设计更加高效、紧凑。

• 型号:STD8NF25
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 8A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:420 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:16 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:72W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD8NF25，ST（意法半导体）产品一站式供应商。