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还在为寻找一颗能兼顾高耐压与高效率的功率开关而烦恼吗？STH6N95K5-2就是您理想的解决方案。这颗采用先进MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，拥有950V的高耐压和仅1.25欧姆的低导通电阻，能显著降低您在开关电源或电机驱动应用中的导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高。

它专为简化您的设计而生。优化的栅极电荷（13nC）和输入电容，让驱动设计更轻松，有助于提升开关频率，从而缩小磁性元件尺寸，实现更紧凑、更具成本效益的电源方案。其坚固的H2PAK-2封装和宽达-55°C至150°C的工作结温，确保了在恶劣环境下的卓越可靠性，让您对产品的长期稳定运行充满信心。

• 型号:STH6N95K5-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 6A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.25 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:450 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STH6N95K5-2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。