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您正在寻找一颗能扛起高压大电流重任，同时保持冷静与高效的功率开关吗？STP28NM60ND正是您的理想之选。这颗采用先进FDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V的耐压和23A的连续电流处理能力，能轻松应对工业驱动、电源转换等严苛应用。

它的核心魅力在于极低的导通损耗与出色的开关性能。150毫欧的超低导通电阻让电能传输更高效，显著减少发热；而优化的栅极电荷则确保了快速、干净的开关动作，帮助您提升系统整体效率，并简化驱动设计。无论是提升产品能效，还是增强系统可靠性，它都能让您的设计目标轻松达成。

• 型号:STP28NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 23A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):23A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2090 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP28NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。