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您正在寻找一颗能扛起大电流、压降低、开关快的“能量阀门”吗？STH360N4F6-2正是为此而生！这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，集成了先进的STripFET VI技术，旨在让您的电源和电机驱动设计脱胎换骨。

它能轻松驾驭高达180A的连续电流，同时将导通电阻控制在极低的1.25毫欧，这意味着在通过大电流时，能量损耗被大幅削减，系统效率显著提升，发热也更少。其优化的动态特性，让开关过程更加干净利落，帮助您构建出更高效、更紧凑的功率转换解决方案。

无论是提升现有产品的能效等级，还是攻克高功率密度设计中的散热难题，STH360N4F6-2都能为您提供强大的半导体支持，让您的产品在性能和可靠性上占据领先优势。

• 型号:STH360N4F6-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.25 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:340 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:17930 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STH360N4F6-2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。