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还在为功率转换系统的效率瓶颈寻找突破口吗？STH320N4F6-6正是您期待的答案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，拥有40V的耐压和高达200A的连续电流处理能力，其核心魅力在于DeepGATE技术带来的超低导通电阻（仅1.3毫欧@10V）。这意味着它能显著降低导通损耗，让您的电机驱动、电源转换或负载开关应用运行得更凉爽、更高效。

它专为汽车级（AEC-Q101）和高可靠性场景打造，采用优化的H2PAK-6封装，兼具出色的功率耗散能力（300W）和便利的贴装工艺。极低的栅极电荷（240nC）确保了快速干净的开关行为，帮助您轻松提升系统频率，缩小无源器件体积。无论是应对瞬态大电流冲击，还是在-55°C至175°C的严苛温度范围内稳定工作，它都能让您的设计信心十足，从容实现更高功率密度与更强健的性能。

• 型号:STH320N4F6-6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 200A H2PAK-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 毫欧 @ 80A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:240 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:13800 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-6
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
• STH320N4F6-6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。