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想象一下，在您的电源或电机驱动板卡上，一颗功率开关器件如何能同时驾驭250V的高压和22A的大电流，还能保持冷静与高效？STB22NS25ZT4正是为此而生。它采用先进的N沟道MOSFET技术，为您提供强劲的功率处理能力，其低至150毫欧的导通电阻（最大值）与优化的栅极电荷，能显著减少能量损耗，让您的系统运行更凉爽、效率更高。

这颗芯片封装于坚固的D2PAK中，具备出色的散热特性，表面贴装设计让您能轻松实现高密度布局。无论是应对工业环境的严苛挑战，还是满足消费类产品对紧凑空间的追求，它都能让您的功率转换设计更加游刃有余，可靠地守护每一次开关动作。

• 型号:STB22NS25ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 22A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:151 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:135W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB22NS25ZT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。