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还在寻找那颗能同时驾驭高电流与高效率的“心脏”吗？STH310N10F7-6正是为您的高要求应用而生。这颗N沟道MOSFET拥有100V的耐压和惊人的180A连续电流处理能力，而其核心魅力在于低至2.5毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源模块或电机驱动系统运行得更凉快、更节能。

它集成了ST先进的STripFET VII和DeepGATE技术，不仅开关性能优异，而且采用散热能力出众的H2PAK-6封装。这意味着您可以轻松应对高功率密度设计挑战，在服务器、能源基础设施、高端电动工具等应用中实现更紧凑、更可靠的解决方案。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的双重基因。

• 型号:STH310N10F7-6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:180 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-6
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
• STH310N10F7-6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。