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您正在寻找一颗能“扛大梁”的功率开关吗？STD55N4F5正是这样一位“实力派选手”。它基于意法半导体的先进STripFET V技术，为您带来高达55A的连续电流处理能力和低至8.5毫欧的导通电阻，让您的电源转换或电机驱动方案效率显著提升，热能损耗大幅降低。

这颗N沟道MOSFET能在40V的电压下稳定工作，其快速的开关特性和优化的栅极电荷（仅25nC），让您轻松实现高效节能的电路设计。无论是面对工业级的温度挑战（-55°C ~ 175°C），还是需要紧凑的DPAK表面贴装，它都能可靠运行，助您打造出更强劲、更小巧、更可靠的产品。

• 型号:STD55N4F5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 55A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):55A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 毫欧 @ 27.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD55N4F5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。