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还在为寻找一颗能同时驾驭高电流、低损耗与快速开关的功率MOSFET而烦恼吗？STH310N10F7-2正是为您而来的解决方案。它集成了意法半导体先进的DeepGATE技术，在10V驱动下导通电阻低至惊人的2.5毫欧，让高达180A的电流通过时几乎感觉不到阻碍，从而大幅降低导通损耗，提升您的系统整体效率。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的电源设计更高效、更紧凑。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）让开关动作干净利落，显著减少开关损耗，尤其适合高频应用。无论是服务器电源、光伏逆变器，还是电动汽车的车载充电系统，它都能提供稳定可靠的功率开关核心，让您轻松应对高功率密度设计的挑战。

选择STH310N10F7-2，意味着您选择了经过市场验证的STripFET VII系列品质。其坚固的H2PAK-2封装和宽广的工作温度范围，确保了在严苛环境下的长期稳定性。让它为您的产品注入强劲动力与卓越可靠性，助您在竞争中赢得先机。

• 型号:STH310N10F7-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.8V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:180 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STH310N10F7-2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。