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您正在寻找一颗能轻松驾驭高压开关任务，同时保持高效与低温运行的MOSFET吗？STD6N62K3正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有620V的高耐压和5.5A的连续电流能力，基于ST先进的SuperMESH3技术打造，其核心使命就是大幅降低开关损耗和导通电阻，让您的电源转换效率显著提升。

它能让您在设计AC-DC开关电源、LED驱动器或适配器时，轻松应对功率因数校正（PFC）和主开关电路的需求。优异的栅极电荷特性使得开关速度更快、驱动更简单，而DPAK封装则确保了良好的散热与可靠的表面贴装工艺。选择它，意味着您为产品选择了经久耐用的高性能心脏，让高效能设计变得触手可及。

• 型号:STD6N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 5.5A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.28 欧姆 @ 2.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:706 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD6N62K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。