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还在为高电流应用中的发热和效率问题寻找答案吗？STH272N6F7-6AG正是您期待的解决方案。这颗车规级N沟道MOSFET，拥有60V耐压和高达180A的连续电流承载能力，其核心魅力在于惊人的1.5毫欧超低导通电阻。这意味着它能大幅降低导通损耗，让您的电源模块、电机驱动或汽车电控系统运行得更凉爽、更高效，直接提升终端产品的整体性能和可靠性。

它基于意法半导体先进的STripFET F7技术打造，不仅开关性能优异（栅极电荷仅170nC），更能承受175°C的高结温，在恶劣环境下依然稳定如山。H2PAK-6封装确保了出色的散热能力，让您轻松应对333W的功率耗散挑战。简而言之，STH272N6F7-6AG能为您做的，就是以一颗芯片的高度集成与卓越性能，简化您的设计，强化您的产品，在激烈的市场竞争中赢得关键的能效优势。

• 制造商产品型号：STH272N6F7-6AG
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：Automotive, AEC-Q101, STripFET F7
• 零件状态：不用於新
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：60V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：180A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.5 毫欧 @ 90A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：170nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：11000pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：333W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：H2PAK-6
• STH272N6F7-6AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。