我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STD10N60M6现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找那颗能让您的电源设计既高效又可靠的“心脏”吗？STD10N60M6 N沟道功率MOSFET就是您的理想答案。它基于先进的MDmesh M6技术，拥有600V的高耐压和仅600毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关和导通损耗，直接提升您的系统整体能效，让热量管理变得前所未有的轻松。

这颗芯片能轻松应对高达6.4A的连续电流，其优化的栅极电荷和电容特性确保了快速干净的开关动作，让您在设计反激、正激或PFC等电路时游刃有余，有效简化驱动并抑制EMI。无论是追求小型化的适配器，还是要求苛刻的工业电源，STD10N60M6都能在紧凑的DPAK封装内，为您提供稳定、高效的功率开关解决方案，助您打造出更具市场竞争力的产品。

• 型号:STD10N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-252（DPAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 6.4A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 3.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:338 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD10N60M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。