我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STH265N6F6-6AG现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能扛起大电流、实现高效电能转换的核心开关吗？STH265N6F6-6AG正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有180A的强大电流处理能力和仅2.1毫欧的超低导通电阻，能显著降低开关过程中的功率损耗，让您的电源模块或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它采用先进的STripFET F6技术，确保在10V驱动电压下即可实现优异的性能。其坚固的H2PAK-6封装和宽达-55°C至175°C的工作结温范围，赋予了它应对汽车及工业严酷环境的卓越可靠性。选择它，就是为您的产品选择了经得起考验的动力基石。

• 型号:STH265N6F6-6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 180A H2PAK-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.1 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:183 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-6
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
• STH265N6F6-6AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。