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当您的设计需要一颗能“扛大梁”的功率开关时，STH250N6F3-6就是您值得信赖的伙伴。这颗N沟道MOSFET能轻松驾驭高达250A的持续电流和60V的电压，让您在高功率电源、电机控制等应用中，实现高效、稳定的能量切换与管理。

它采用H2PAK封装，不仅提供了优异的电气连接，更带来了卓越的散热性能，确保芯片在重载下也能保持冷静，大幅提升系统可靠性。选择它，就是为您的核心电路选择一个强劲而稳健的“心脏”，让您的产品性能表现更加出众。

• 型号:STH250N6F3-6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:-
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 250A H2PAK
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:-
• 技术:-
• 漏源电压（Vdss）:-
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:-
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:-
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 供应商器件封装:-
• 封装/外壳:-
• STH250N6F3-6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。