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您正在寻找一颗能扛起大电流、低损耗重任的功率开关吗？STH250N55F3-6正是您的理想之选。这颗N沟道MOSFET拥有55V的漏源电压和高达180A的连续漏极电流能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅2.6毫欧@60A,10V），能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它采用先进的STripFET III技术，开关特性优异，栅极电荷管理出色。强大的300W功率处理能力和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），让它能轻松应对工业自动化、高端电源等领域的严苛要求。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的高性能心脏。

• 型号:STH250N55F3-6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 180A H2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.6 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
• STH250N55F3-6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。