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您正在为寻找一颗能高效处理数百伏电压的功率开关而烦恼吗？STP24N60M6正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有600V的耐压和17A的电流处理能力，基于ST先进的MDmesh M6技术打造，旨在让您轻松实现更低的导通损耗和更优的开关效率。

它将帮助您大幅提升电源转换器、电机驱动或照明系统的整体能效，让设备运行更凉爽、更可靠。采用坚固的TO-220封装，散热性能优异，安装简便，是您构建高效、紧凑且耐用电力电子系统的理想核心选择。

• 型号:STP24N60M6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tj）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:960 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP24N60M6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。