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您正在寻找一颗能扛起大功率开关重任，同时保持冷静高效的“核心引擎”吗？STH245N75F3-6正是为此而生。这颗75V/180A的N沟道MOSFET，凭借其惊人的3毫欧超低导通电阻，能大幅降低您在开关和传导过程中的能量损耗，直接提升系统整体能效，让您的设备运行更凉爽、更持久。

它基于先进的STripFET F3技术，并满足严苛的汽车级AEC-Q101标准，确保在-55°C至175°C的极端温度范围内稳定工作，为您带来卓越的可靠性和耐用性。无论是驱动电机、管理电池还是构建电源模块，它都能让您轻松应对高电流挑战，实现更紧凑、更高效的设计方案。

• 型号:STH245N75F3-6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-6
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:87 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-6
• 封装/外壳:TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
• STH245N75F3-6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。