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您正在寻找一颗能扛起大电流、低损耗重任的核心开关器件吗？STH210N75F6-2正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有惊人的180A连续电流处理能力和低至2.8毫欧的导通电阻，能显著降低您电源或电机驱动系统中的导通损耗，直接提升整体能效，让热量更少，输出更强。

它采用先进的DeepGATE技术，具备极低的栅极电荷，让开关动作又快又干净，轻松实现高频高效运行。高达300W的功率耗散能力和坚固的H2PAK-2封装，确保了它在严苛环境下的长期可靠性。选择它，就是为您的功率系统注入一颗高效而强劲的“心脏”。

• 型号:STH210N75F6-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 180A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 毫欧 @ 90A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:171 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11800 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STH210N75F6-2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。