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还在为寻找一颗能同时兼顾大电流、低损耗与高可靠性的功率开关而烦恼吗？STH185N10F3-2正是为您而来的答案。这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，集成了先进的STripFET F3技术，让您轻松驾驭高达180A的连续电流，而其低至4.5毫欧的导通电阻，能显著降低系统运行中的能量损耗，直接提升整体效率。

它专为汽车级（AEC-Q101）严苛环境打造，拥有100V的耐压和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），确保在电动汽车驱动、工业电源等关键应用中稳定可靠。采用散热性能优异的H2PAK-2封装，帮助您的设计有效管理热量，实现更紧凑、更高效的电源解决方案。选择它，就是选择了一份经得起考验的性能承诺。

• 型号:STH185N10F3-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:114.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6665 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:315W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STH185N10F3-2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。