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您正在寻找一颗能扛起大电流、同时保持冷静与高效的功率开关吗？STD60NH03LT4正是为您而来的解决方案。这颗来自意法半导体STripFET III家族的N沟道MOSFET，拥有60A的强大电流处理能力，其核心魅力在于低至9毫欧的导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它具备快速的开关特性（栅极电荷仅21nC），让您轻松实现高频率开关，提升系统动态响应。采用坚固的DPAK封装，并提供从-55°C到175°C的宽工作结温范围，确保它在各种苛刻环境下稳定工作，大幅提升您产品的可靠性和耐用性。简而言之，它能帮您用更少的能量损耗，实现更强大的功率控制，让设计变得更简单，性能更出众。

• 型号:STD60NH03LT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 60A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 毫欧 @ 30A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD60NH03LT4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。